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可移轉技術資訊

年度
111
領域
服務創新
執行單位
工研院院本部
可移轉技術名稱
氧化鎵晶體技術
計畫名稱
工研院創新前瞻技術研究計畫
技術規格
(1) 1吋導電型氧化鎵晶體與基板 (2) 晶面:(010) 、(-201) (3) Nd-Na(cm-3)=1E17~5E17 (4) FWHM(arcsec): 150 or less
技術成熟度
實驗室階段
潛力預估
其他先進塊狀晶體材料生長
可應用範圍
高壓和大功率電子產品製備用高性能基板
所需軟硬體設備
特製化晶體生長設備、ADC控制系統、數值分析軟體
須具備之專業人才
材料、化工、機械
技術摘要(中)
晶體生長是一門門檻非常高的技術,也是材料物理化學性質、結晶學、凝固學、熱力學、傳熱學、傳質學等綜合學科表現。 本技術採用具有ADC控制系統和特殊熱場結構設計的專用晶體生長設備,採用水、電、氣、熱控制系統建立適宜的晶體生長條件,有效抑制氧化鎵熔湯高溫離解,進而生長出高品質的氧化鎵單晶。
技術摘要(英)
Crystal growth is a technology with a very high threshold, and it is also the embodiment of comprehensive disciplines such as physical and chemical properties of materials, crystallography, solidification, thermodynamics, heat transfer, and mass transfer. This technology adopts special crystal growth equipment  with ADC control system and special thermal field structure design, uses a control system a control system for water, electricity, gas and heating to establish suitable crystal growth conditions, effectively inhibits the high-temperature dissociation of gallium oxide, and finally grows high-quality β-Ga2O3 single crystal.
聯絡人員
張永源
電話
03-5918267
傳真
03-5832961
電子信箱
YY@itri.org.tw
參考網址
更新日期:2024-08-15

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