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新世代行動通訊
全球電信商持續拓展5G開放性無線接入網路(Open Radio Access Network, O-RAN)與專網商機，國際行動通訊標準組織第三代合作夥伴計畫(3rd Generation Partnership Project, 3GPP)亦於2024年3月正式提出6G標準化時程表。為確保2030年6G商用前，通訊產品的平穩發展，5G-Advanced技術也持續演進，精進產品技術。為彌補5G時代，國內產品之關鍵核心晶片受制於外商，2023年行政院啟動「晶創臺灣方案」，運用我國半導體晶片製造優勢，結合生成式人工智慧(Generative AI, GAI)，以驅動通訊關鍵晶片自主能力。經濟部產業技術司主責5G-Advanced技術精進、6G產業關鍵技術、通訊關鍵晶片、次太赫茲(sub THz)關鍵材料，以及低軌衛星(Low Earth Orbits, LEO)通訊系統與地面設備射頻前端核心技術開發，確保發展國際主流標準頻率產品，提升技術自主能力，搶占首波6G國際市場先機。
技術研發措施
持續精進5G-Advanced技術開發，產出進階高效基站雛型系統與中大型網路組網系統優化，協助國內產業開發與國際新興O-RAN大廠規格同步的5G-Advanced網路系統產品解決方案，提升5G產品競爭力；並投入國際6G創新技術研發，包括可重構智慧表面(Reconfigurable Intelligent Surface, RIS)通道環境控制技術、感算融合及組網技術、AI-Native網路智慧演算技術，與產學研共議先期6G雛型系統規格、技術開發與驗證，以此驗證結論，參與重要6G國際組織技術標準討論，爭取話語權。同時投入6G自主基站關鍵晶片開發，以緊隨國際6G主流標準頻率，深耕自主射頻晶片(Radio Frequency IC, RFIC)、基頻晶片及6G小型基地台協定軟體，彌補通訊關鍵晶片產品技術自主缺口，布局6G關鍵技術專利。此外，亦提前布局次太赫茲關鍵材料與應用技術，發展低軌通訊衛星系統自主技術與驗證、地面設備之射頻與控制晶片及陣列天線模組化之次系統自主技術能量，以提升衛星通訊晶片及系統模組之產品價格競爭力。
我國網通及伺服器業者已掌握開放式架構基站系統基礎技術，並且逐步打入國際供應鏈，然而在技術門檻較高的巨量天線(Massive MIMO)、高發射功率等高階公網層級技術仍有缺口。科技專案為帶動我國自主通訊設備躍升，針對產業升級所需，研發與國際同步之高階高效公網層級O-RAN基站產品，為我國5G產業聚落鞏固產業自主技術優勢，搶進國內外高階市場商機。
隨著目前5G技術發展已臻於成熟，6G將成為行動通訊技術下一個重要的里程碑。6G通訊技術將擁有比5G更高的傳輸速度、更低延遲及更高的可靠性，並提供全域性覆蓋率以及精準的定位。6G對生活和工作，將產生更深遠的影響，包括實現更聰明的生活環境、開拓新的商業應用和改變工作方式等。本文將介紹科技專案「6G產業關鍵技術先期研發」所進行的四項6G先期雛型系統技術。
過去數年，我國在5G O-RAN技術上已經建立了相當好的基礎，科技專案「晶片驅動6G通訊產業創新計畫」將吸取我國5G O-RAN技術發展的經驗及產業的需要，投入6G基礎核心技術的研發，包括6G基地台的射頻關鍵技術、6G基地台的基頻關鍵技術，特別是6G基地台射頻／基頻所需要的相關晶片技術，以及這些晶片上所需要的軟體及通訊協定。
我國業者在全球資料中心伺服器市場之市占率超過九成，但以委託設計代工為主，產業缺乏關鍵系統軟體及硬體技術。近年AI應用對低延遲、資料安全及節能的需求，推動邊緣雲(Edge Cloud)產業快速發展。因此，科技專案投入開發國產自主邊緣雲管理平台軟體及高性能、低成本AI運算加速硬體技術，提供國內廠商具備競爭優勢的創新軟硬體整合技術方案，引領產業技術轉型升級。
全面覆蓋、設備無縫連接及廣域人機溝通的通訊技術將透過次太赫茲傳輸技術實現。然而相關模組與關鍵材料等因波長的縮短與頻率提高之下，將面臨傳輸損耗極大的挑戰。因此科技專案投入射頻模組整合材料、超低損耗基板及增層型材料等技術開發，將提供國際次世代通訊產品之完整性材料技術解決方案。
我國ICT產業在全球占有優勢地位，國內業者在傳統衛星天線、上游元件、電源供應、路由器等已具備量能，但在寬頻通訊基頻模組、大型相位陣列天線、整機驗測等技術上相對缺乏，仍多倚賴國外衛星通訊設備供應商。科技專案針對產業缺口進行低軌衛星地面設備關鍵技術研發，協助業者建立自主研發能力，提升國際競爭力。
我國具有ICT、IC設計及半導體等優勢，低軌衛星地面設備產業鏈中，國內業者在傳統衛星天線、上游元件、電源供應、路由器等皆已打入國際供應鏈，但射頻晶片與天線模組等關鍵零組件仍仰賴國外進口。科技專案「低軌衛星地面通訊設備射頻前端核心技術開發計畫」針對產業缺口進行關鍵技術研發，規劃於2025年進行Ka頻段射頻晶片試量產，與業者開發射頻前端核心產品雛形，降低業者自行開發風險與成本，推升我國自主化設計能力與國際競爭力。
